Новости перспективных технологий

Найден способ контроля порогового напряжения пластиковых транзисторов

Изображения с сайта compulenta.ru

Научная группа из Университета Линчёпинга (Швеция), занимающаяся исследованиями в области органической электроники, в прошлом году сообщила о создании полнофункционального полевого транзистора из органического пластика. Теперь эти же учёные продемонстрировали возможность тонкой настройки порогового напряжения пластикового транзистора.

Если транзистор предполагается использовать в составе логической схемы, пороговое значение напряжения, выше которого он переключается из состояния «0» в состояние «1», должно быть постоянным и очень точно измеренным. Шведы показали, что замена материала запирающего электрода позволяет добиваться плавного сдвига величины порогового напряжения.

Простейшая схема органического полевого транзистора (иллюстрация Sergey Subach, Ruslan Temirov, Stefan Tautz).

По словам учёных, транзисторы, построенные на основе органических электронных материалов, должны быть контролируемы с помощью как можно более низкого напряжения. Чем ближе к нулю, тем предпочтительнее; это важно как для создания из этих элементов сложных схем с низким энергопотреблением (а иначе зачем вообще эта пластиковая электроника?), так и для обеспечения их долговечности (а то уж больно легко органика окисляется). Так, при замене материала электрода, например, с золота на кальций удалось понизить пороговое напряжение на 0,9 В (правда, теперь придётся крепко подумать над защитой устройства от внешней среды). По мнению исследователей, это значит, что они способны осуществлять точный контроль над одним из важнейших свойств пластиковых транзисторов для построения сложных логических схем.

Подробности исследования описаны в статье, опубликованной в журнале Proceedings of the National Academy of Sciences.

Информация с сайта compulenta.ru с ссылкой на материалы Университета Линчёпинга.

Автор оригинального текста: Роман Иванов.