Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Японцы создали гибридный диск, превосходящий обычные SSD - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Японцы создали гибридный диск, превосходящий обычные SSD - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости перспективных технологий » Японцы создали гибридный диск, превосходящий обычные SSD

Новости перспективных технологий

18 июня 2012

Японцы создали гибридный диск, превосходящий обычные SSD

Изображение с сайта 3dnews.ru

Группа японских исследователей под руководством профессора Университета Чуо (Chuo University) Кена Такеучи (Ken Takeuchi) разработала архитектуру гибридного SSD-накопителя с использованием чипов памяти ReRAM. Изобретение отличается высокой скоростью перезаписи данных при достаточно большой ёмкости, характерной для традиционных твердотельных дисков.

По сравнению с современными SSD-дисками, которые используют только NAND-микросхемы, производительность гибридного накопителя в операциях записи увеличена в 11 раз. При этом потребляемая мощность снижена на 93%, а жизненный цикл устройства увеличен в 6,9 раза. Эти данные получены на основе испытания прототипа гибридного диска с помощью эмулятора.

Гибридный диск включает 256 Гбайт NAND-памяти и 8 Гбит ReRAM-памяти. Именно благодаря последней накопитель и обеспечивает высочайшую производительность в операциях случайного доступа.

Запись данных управляется с помощью трёх алгоритмов. Первый называется «антифрагментом» (anti-fragment). Малые порции данных записываются в сектора ReRAM-памяти. Когда их ёмкость превышает одну страницу, они перезаписываются в NAND-микросхему. Учитывая малую ёмкость ReRAM, когда она слишком переполнена, допускается перенос в NAND-чипы данных, которые занимают 60% объёма страницы памяти. Также во избежание фрагментации данных в NAND-памяти используется алгоритм RAAF (reconsider as a fragmentation), который при затирании малых порций данных в NAND-памяти после записи страницы переносит её обратно в ReRAM-пространство. Третий алгоритм под названием MRU (most recently used table) предусматривает сохранение наиболее часто используемых данных в ReRAM.

Новая архитектура будет представлена в рамках конференции Symposium on VLSI Circuits, которая проходит с 13 по 15 июня в США.

Информация с сайта 3dnews.ru с ссылкой на tech-on.

Автор оригинального текста: Александр Будик.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2025.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства