Новости перспективных технологий

Достигнута рекордная скорость записи PCM-памяти

Изображение с сайта compulenta.ru

Исследователям из Кембриджского университета (Великобритания) удалось улучшить характеристики памяти с изменяемым фазовым состоянием (PCM).

PCM-память рассматривается в качестве потенциальной альтернативы широко распространённым флеш-накопителям. Принцип работы чипов РСМ основан на способности материала носителя (халькогенида) находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одной из этих фаз вещество представляет собой непроводящий аморфный материал, а в другой — кристаллический проводник. Изменение фазового состояния сопровождается переключением между логическим нулём и единицей.

Британские учёные экспериментировали с материалом на основе германия, теллура и сурьмы (Ge2Sb2Te5). За счёт предварительной организации атомов при помощи электрического поля (0,3 В) удалось сократить время кристаллизации до 500 пикосекунд. Это приблизительно в 10 раз меньше по сравнению с ранее достигнутым результатом.

Опыты показали, что вещество остаётся стабильным после 10 тыс. циклов перезаписи.

Напомним, что недавно американские исследователи разработали новую схему кодирования данных в микрочипах РСМ-памяти, позволяющую снизить потребление энергии в режиме записи более чем на 30%.

Информация с сайта compulenta.ru с ссылкой на arstechnica.com.

Автор оригинального текста: Владимир Парамонов.