Новости международного рынка

«В ближайшее десятилетие силовая электроника останется одним из самых привлекательных направлений полупроводниковой промышленности», — утверждает компания Yole Développement

Изображение с сайта www.globalsmt.net

Компания Yole Développement объявляет о выпуске отчета «Состояние промышленности силовой электроники». В этом отчете Yole Développement освещает современные прорывные тенденции в технологии и на рынке силовых полупроводников.

Силовая электроника: рынок устройств на $ 20 млрд. и всего 4 основных технологии производства полупроводников

«В 2012 году рынок полупроводниковых устройств (дискретных компонентов, модулей и интегральных схем), относящихся к силовой электронике, достигнет $ 20 млрд.», — говорит Брюс Ле Гоуи (Brice Le Gouic), ведущий специалист по силовой электронике компании Yole Développement. С настолько разнообразными приложениями, как гибридные автомобили, солнечные батареи, освещение, энергетика, с уровнями напряжений от нескольких вольт до нескольких тысяч вольт, силовая электроника является и будет являться одним из самых привлекательных направлений полупроводниковой промышленности в течение ближайшего десятилетия. В своем отчете Yole Développement подробно анализирует:

1) прогнозы рынка и доли основных игроков,

2) диапазоны напряжений и географию силовых дискретных компонентов и модулей и

3) кремниевые подложки, используемые для производства силовых полупроводниковых устройств.

Объем продаж уже прочно закрепившихся на рынке IGBT оценивается в $ 1,6 млрд. в секторе от среднего до высокого напряжения. В отчете описывается тенденция к понижению диапазона напряжения, что нацелено на применение IGBT в потребительских изделиях, таких как телевизоры, адаптеры компьютеров и камеры, в расчете получить больше сегментов рынка. В то же время SJ MOSFET, уже применяемые в этих изделиях, обладают более высокими частотами переключения и конкурентной ценой. Авторы отчета прогнозируют, что рынок SJ MOSFET достигнет $ 567 миллионов к концу года. GaN и SiC также имеют шанс превзойти характеристики кремния и повысить характеристики инверторов, однако эти материалы продолжают оставаться дорогостоящими, и технологии их применения еще не отработаны. С другой стороны, оба этих материала могут оказаться в выгодном положении, благодаря их широкому применению в производстве LED.

Каждая технология усиленно развивается и каждая технология имеет особенную производственную структуру

В своем отчете компания Yole Développement четко определяет применимость этих четырех технологий. Тем не менее, каждая из них все еще борется за звание идеального решения для любого приложения во всех диапазонах мощности/напряжения.

В то время как промышленность SJ MOSFET открыта для новых игроков, промышленность IGBT кристаллов уже стала консолидированной, благодаря наличию крупных игроков (Infineon, Mitsubishi Electric и Fuji). C другой стороны, SiC промышленность, возглавляемая компанией CREE, в данный момент представляет собой привлекательную площадку для новых игроков. Благодаря возможности использовать недорогие материалы, технология SiC имеет шанс подняться и сформироваться. Однако технологические возможности SiC показывают, что эта технология будет применяться для приложений высокой мощности/напряжения. Компании, работающие по технологии SiC, преимущественно расположены в Китае, что будет определенно обеспечивать конкуренцию и ориентированность преимущественно на локальный рынок, в это же время GaN-промышленность преимущественно сосредоточена в США. Однако, некоторые пионеры, как, например, MicroGaN, NEC и Powdec, показывают стремление глобализировать GaN промышленность.

В отчете компании Yole Développement описывается, в каком состоянии находится каждая промышленность, как они взаимодействуют, и как они будут эволюционировать в будущем. Промышленность силовой электроники имеет большой потенциал, преимущественно определяемый энергией (производство, распределение, потребление). Этот рынок открыт и доступен даже для небольших участников.

Также в отчете компании Yole Développement производится анализ участников рынка более крупных систем — инверторов, которые определяют требования для промышленности силовых полупроводников.

В отчете компании Yole Développement производится анализ географии и цепочек поставки для промышленности силовой электроники, от полупроводников и пассивных устройств и до уровня инвертеров.

___________

Информация об отчете «Состояние промышленности силовой электроники»

Автор:

Брюс Ле Гоуи (Brice Le Gouic) штатный аналитик отдела силовой электроники компании Yole Développement. Выполнил несколько маркетинговых исследований и технических анализов рынка в области силовой электроники. Он имеет степень магистра в области электронной техники со специализацией в области микроэлектроники, которую получил в тулузском национальном институте прикладных наук (Франция).

В отчете анализируются следующие компании:

ABB, AIST, APEI, Ascatron, BeMiTec, Bridgestone, BYD, CREE, Denso, Dow Corning, EPC, Fairchild, Fuji Electric, Furukawa Electric, GaN Systems, GeneSiC, Hitachi, Infineon, International Rectifier, Intersil, IXYS, LG Electronics, MACMIC, MicroGaN, Microsemi, Mitsubishi Electric, Nitek, NTT, NXP, ON Semiconductor, Panasonice, Powdec, Powerex, Renesas, Rohm, Samsung Electronics, Sanken, SanRex, Semikron, Semikron, Semisouth, Shindengen, SiRectifier, ST Microelectronics, Starpower, Sumitomo SEI, Toshiba, Toyota, Transphorm, Velox, Vincotech, Vishay и другие.

О приобретении отчета можно узнать по адресу www.yole.fr.

По материалам www.globalsmt.net.