Новости перспективных технологий

Компании TNO и Intel разрабатывают новые технологии восстановления чипов и масок

Существующие технологии устранения небольших, но критических ошибок в интегральных схемах и литографических масках скоро перестанут справляться с точки зрения разрешения и точности. Компании TNO и Intel недавно продемонстрировали, что луч сфокусированных ионов гелия вполне оправдывает возложенные на него ожидания, нанося точки и линии материалом чистотой в 41 %, что стало мировым рекордом. Доработка технологии обеспечит ее практическое применение в компаниях, специализирующихся на выпуске интегральных схем.

Описание разработки было опубликовано в издании «Journal of Vacuum Science & Technology-B». Эксперимент был поставлен в г. Делфте, в лаборатории Van Leeuwenhoek компании TNO с использованием гелиоионного микроскопа (HIM) компании Carl Zeiss. Специалисты TNO заранее характеризировали и оптимизировали новый процесс осаждения совместно с компаниями TU-Delft и Carl Zeiss. В дальнейшем, во время сотрудничества с TNO, специалисты компании Intel проанализировали материалы, что позволило внести значительный вклад практических знаний в проект.

В процессе осаждения прекурсор — органический материал, содержащий металл — припаивается на поверхность лучом активных частиц. Традиционно используется луч электронов или ионов галлия. Электроны позволяют выполнять операцию с большим разрешением, а галлий позволяет осаждать материалы высокой чистоты. Разрешение, достигаемое лучами ионов гелия, равняется разрешению пучка электронов, при этом чистота используемого металла достигает 41 %, что почти в два раза превышает наилучшие показатели, существовавшие до появления этого метода.

Технология нуждается в дальнейшей оптимизации для практического использования в процессах ремонта интегральных схем и литографических масок. Ученые видят значительные перспективы для значительного повышения производительности, при этом удерживая количество ионов гелия на достаточно низком уровне, что позволит минимизировать повреждение кремниевой пластины основания.

Информация с сайта www.ostec-group.ru.