Новости перспективных технологий

ARM и Globalfoundries разработают 20-нм чипы с транзисторами типа FinFET

Известный разработчик интегральных микросхем, компания ARM, и один из ведущих мировых чипмейкеров, компания Globalfoundries, сообщили о создании технологического альянса. Соглашение рассчитано на несколько лет, в течение которых специалисты обеих сторон будут работать над оптимизацией конструкции интегральных микросхем типа “систем-на-чипе” (включая интегрированную графику). При этом разработанные полупроводниковые устройства планируется изготовлять по 20-нм технологическому процессу и с применением уже полевых транзисторов типа FinFET.

Главный момент, на который следует обращать внимание — именно освоение 20-нм технологического процесса с формированием уже не планарного полевого транзистора, а «трехмерного транзистора». Впрочем, ни одна из сторон пока не разглашает хотя бы примерные сроки, в которые конструкторы и технологи должны уместить свои исследования и разработки.

По всей видимости, компания Globalfoundries займется разработкой технологии изготовления интегральных микросхем, а ARM обязуется оптимизировать схемотехнику своих микросхем под новый техпроцесс с использованием полевых транзисторов типа FinFET. Отметим также и тот факт, что месяцем ранее ARM уже заключила очень похожее соглашение с другим лидером в области производства микрочипов. Партнером ARM в данном случае стала тайваньская компания TSMC, которая должна освоить выпуск 64-разрядных процессоров на ядре ARM с использованием 20-нм «FinFET-техпроцесса».

Компания ARM и ее партнер Globalfoundries уже имеют многолетний опыт успешного сотрудничества в деле изготовления серий процессоров Cortex-A, включая демонстрацию 28-нм микросхем и выпуск тестовых 20-нм чипов. Именно эти изделия сейчас пытаются освоить на одном из заводов Globalfoundries в Мальте, близ Нью-Йорка. Теперь область сотрудничества компаний заметно расширяется и обещает привести к появлению микросхем новейшего поколения.

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на eetimes.com.

Автор оригинального текста: Александр Бакаткин.