Новости технологии

Компания TSMC начинает производство встраиваемой флэш-памяти по технологии 0,13мкм

Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) заявила о   завершении подготовки производственного процесса и начале производства встраиваемой флэш-памяти по технологии 0,13мкм.

Компания  TSMC по ее собственному заявлению  стала первой среди компаний, занимающихся одним видом деятельности , запустившей процесс изготовления микросхем по 0,13мкм технологии, полностью совместимый с производством логических ИМС и предназначенный для изготовления встроенной флэш-памяти . По заявлению TSMC, при
производстве  встроенной 0,13мкм флэш-памяти используются те же ячейки памяти, что и в предыдущем поколении, что значительно упрощает процесс перехода к новому производству. Эта технология полностью совместима с 0,1мкм технологией производства  логических ИМС общего назначения (G) и маломощных  (LP) логических ИМС компании TSMC. Такая совместимость также свидетельствует о том, что медные соединения  начинают использоваться при изготовлении встроенной флэш-памяти TSMC, начиная с 0,13мкм технологии.

Новый процесс позиционируется   как хорошее решение для  беспроводных устройств, работающих от  одной батарейки-«таблетки» . «Формируемый при данном процессе маломощный транзистор делает данную технологию  отлично подходящей для устройств ZigBee/Wibree, беспроводных гарнитур, слуховых аппаратов, смарт-карт и других задач, требующих сверхмалое потребление мощности  в диапазоне 1,2-1,5В», –  говорит Сэм Чен (Sam Chen), директор TSMC по маркетингу платформ .

Так как, по мнению TSMC, потребители выражают беспокойство относительно расходов, связанных с тестированием встроенной флэш-памяти, компания разработала модуль для тестирования с целью  увеличения числа кристаллов, тестируемых одновременно.

TSMC начала производить встроенную флэш-память 10 лет назад. Год назад производитель флэш-памяти Silicon Storage Technology (SST) подписал соглашение о техническом развитии и лицензировании с компанией TSMC с предложением того, что компании назвали первой лицензированной 90-нанометровой технологией встроенной флэш-памяти.

Информация с сайта www.electronicsweekly.com