Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
IBM продемонстрировала новую элементную базу для микроэлектроники - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
IBM продемонстрировала новую элементную базу для микроэлектроники - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости перспективных технологий » IBM продемонстрировала новую элементную базу для микроэлектроники

Новости перспективных технологий

25 марта 2013

IBM продемонстрировала новую элементную базу для микроэлектроники

Изображение с сайта science.compulenta.ru

Учёные IBM показали, что проводящее и изолирующее состояния оксидов металлов можно контролировать при помощи ионов кислорода, управляемых электрическим полем. Более того, оказалось, что после перевода материала в проводящее состояние оно самоподдерживается без внешнего вмешательства, в том числе без электропитания. Таким образом, перед нами постоянная память с ионным управлением.

Схема нового устройства, контролируемого ионной жидкостью (иллюстрация IBM).

«Способность понимать и управлять материей на размерном уровне, соответствующем атомам, позволяет нам создавать материалы и устройства, основывающиеся на принципах, которые полностью отличаются от информационных технологий, основанных на кремнии и доминирующих сегодня, — заявляет Стюарт Паркин (Stuart Parkin), один из разработчиков новых экспериментальных систем. — Переход от сегодняшних средств, базирующихся на заряде, к устройствам, использующим крохотные ионные потоки для обратимого управления состоянием материи, несёт в себе потенциал для создания новых типов мобильных гаджетов, приборов и изделий». При этом миниатюрность и производительность таких устройств не дадут микроэлектронике упереться в потолок роста.

Пока электролит на основе ионной жидкости продемонстрировал свою эффективность лишь в отношении диоксида ванадия. Переход такого диоксида в металлическое состояние происходит при положительном заряде электролита. А обратный, в непроводящее состояние, — при отрицательном заряде ионной жидкости.

Переход такого рода материалов из состояния металла в состояние изолятора изучался долгие годы. Однако только теперь IBM пришла к выводу, что именно кислород управляет таким поведением в оксидах металлов, подверженных воздействию сильного электрического поля.

Ранее обратимый переход подобного типа достигался при приложении тепла или механического давления — то есть при помощи воздействия, которое малопрактично при использовании в электронных устройствах повседневного применения.

Отчёт об исследовании опубликован в журнале Science.

Информация с сайта science.compulenta.ru по материалам IBM.

Автор оригинального текста: Александр Березин.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2025.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства