Новости технологии

Компания Intel планирует производство встроенной флэш-памяти типа NOR по технологии 65нм

Фокусируясь на рынке встроенных устройств, Intel расширяет линейку продуктов встроенной флэш-памяти типа NOR новым поколением, выполненным по технологии 65нм.

Intel заявляет, что данный шаг призван обеспечить баланс между ценой и производительностью, и позволит гарантировать увеличенный цикл жизни устройства, что является немаловажными достоинствами для OEM-компаний, работающих на рынке встраиваемых систем.

Данные 65нм продукты обычно используются в бытовых изделиях, оборудовании проводной связи и в промышленном применении. Intel прогнозирует начало поставки образцов потребителям в первой половине 2008 года.

Глен Хок (Glen Hawk),  генеральный директор отдела флэш-продуктов компании Intel, отмечает, что большинство встроенных решений остается в производстве дольше, чем сотовые телефоны или другие потребительские устройства, и беспроводные продукты Intel типа NOR уже производятся в большом объеме по технологии 65нм. Intel использует данную технологическую информацию и опыт для ускорения разработки своих продуктов и производственного графика. Встроенные продукты типа NOR компании Intel включают решения как с параллельной, так и с последовательной организацией, включая встроенную память StrataFlash.

Ранее в этом году Intel опубликовала планы расширения своего бизнеса в области энергонезависимой памяти, предсказывая рост к 2010 году до $40млрд. по сравнению с $20млрд. в прошлом году.

Информация с сайта www.electronicsweekly.com