Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Продемонстрирован оптический транзистор на терагерцевом излучении - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Продемонстрирован оптический транзистор на терагерцевом излучении - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости перспективных технологий » Продемонстрирован оптический транзистор на терагерцевом излучении

Новости перспективных технологий

10 июля 2013

Продемонстрирован оптический транзистор на терагерцевом излучении

Изображения с сайта compulenta.computerra.ru

Группа учёных из Венского технического университета (Австрия) под общим руководством Андрея Пименова создала оптический транзистор, в котором направление распространения света меняется на противоположное одним лишь приложением напряжения.


Схема эксперимента. (Здесь и ниже иллюстрации TU Vienna.)

Определённые материалы могут менять поляризацию при воздействии на них стороннего магнитного поля (эффект Фарадея). Но в норме этот эффект весьма мал. Два года назад группа профессора Пименова впервые смогла добиться так называемого сильного эффекта Фарадея, пропустив излучение через специальные пластинки из теллурида ртути, на которые воздействовало управляемое магнитное поле.

Увы, тогда поле можно было использовать, только задействовав его внешний источник, что для электроники не слишком практично. И дело не в одних лишь габаритах устройства, но и в скачке энергопотребления при применении такой схемы.

Теперь, чтобы решить проблему, учёные меняли поляризацию терагерцевого излучения просто приложением тока напряжением менее одного вольта. И хотя за изменение поляризации в материале по-прежнему отвечает магнитное поле, его сила более не имеет определяющего значения, а процесс напрямую зависит от количества электронов, в него вовлечённых, что радикально упрощает контроль над ним.


Алексей Шуваев (слева) и профессор Андрей Пименов в лаборатории, где был создано устройство.

Излучение, используемое в эксперименте, лежит не в видимом, а в терагерцевом диапазоне, с длиной волны порядка миллиметра. Частота её, как следует из названия, как раз такова, что существенно превосходит возможности нынешних транзисторов. Хотелось бы верить, что её удастся достичь компьютерам хотя бы следующего поколения...

Информация с сайта compulenta.computerra.ru по материалам Венского технического университета.

Автор оригинального текста: Александр Березин.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2025.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства