Новое оборудование и материалы
25 июля 2013
Измерительные системы для прогрессивных методов компоновки полупроводников
Изображение с сайта www.globalsmt.net
Компания Rudolph Technologies анонсировала измерительные системы новой серии NSX, включающей несколько конфигураций для решения определенных задач компоновки на уровне полупроводниковых пластин, 2,5D (промежуточная подложка) и 3D (трехмерная компоновка с TSV). Конфигурации строятся на основе автоматизированной системы инспекции макродефектов NSX® 320 Automated Macro Defect Inspection System.
Конфигурация для проведения измерений на уровне полупроводниковых пластин предназначена для измерения следующих параметров:
- толщина пленки (полимера, фоторезиста, стекла),
- остаточная толщина кремния при выполнении операции утоньшения пластины (thin remaining silicon thickness, RST),
- топография поверхности,
- высота медных столбиков и шариков припоя.
Конфигурация для измерений в технологии прогрессивной компоновки дополнительно включает измерения:
- профиль полупроводниковой пластины (коробление и изгиб),
- общая толщина стека,
- остаточная толщина кремния при выполнении операций утолщения и утоньшения пластины (присоединенная пластина до и после шлифовки).
Конфигурация для измерений в технологии трехмерной компоновки (3D) позволяет выполнять все вышеперечисленные измерения и следующие измерения:
- глубина переходных отверстий,
- глубина борозд,
- вариации общей толщины присоединенных пластин и адгезионных слоев.
По материалам www.globalsmt.net со ссылкой на www.rudolphtech.com.
|