Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Samsung открыл эру памяти на 3D-чипах - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Samsung открыл эру памяти на 3D-чипах - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости практической технологии » Samsung открыл эру памяти на 3D-чипах

Новости практической технологии

07 августа 2013

Samsung открыл эру памяти на 3D-чипах

Изображения с сайта www.cnews.ru

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства новых чипов флэш-памяти NAND, емкостью 16 ГБ. В новых микросхемах впервые в промышленных масштабах реализована технология размещения ячеек в объемной структуре 3D V-NAND.

С момента появления 40 лет назад и до сегодняшнего дня флэш-память представляла собой планарную, двухмерную структуру ячеек. Повышать плотность хранения информации до настоящего времени позволяло уменьшение технологического процесса производства. Однако с приближением технологического процесса к 10-нм норме между ячейками памяти стала возникать интерференция, в результате чего надежность хранения данных снизилась ниже допустимого предела.

Технология 3D V-NAND призвана решить эту проблему: открыть новый способ повышения плотности хранения данных в дальнейшем, сохранив такую технологическую норму, которая обеспечит необходимый уровень надежности.

В новых чипах памяти, выполненных по технологии 3D V-NAND, ячейки расположены по отношению друг к другу в трех измерениях. Соединение ячеек по вертикали обеспечивается специальными проводниками. В одной микросхеме может быть до 24 слоев с ячейками, при этом через специальные отверстия проводник может изолированно проходить сквозь другие слои и, например, соединять ячейки первого и двадцать четвертого слоев.

В Samsung утверждают, что 3D V-NAND позволяет добиться 8-кратного увеличения емкости: например, оснастить ноутбук не 128 ГБ памяти, а 1 ТБ.

Однако новая технология позволяет не только повысить плотность, но и получить гораздо более высокую надежность (в 2—10 раз) по сравнению с NAND-памятью, выполненной на базе 10-нм техпроцесса. Кроме того, 3D V-NAND обеспечивает более высокую скорость записи — «вдвое выше», — утверждают в Samsung.


Новые микросхемы памяти Samsung.

Выпуску первой памяти 3D V-NAND предшествовало около 10 лет исследований, добавили в компании.


Новая технология позволяет продолжит повышать плотность записи.

Новая память подходит для устройств различного типа: она может использоваться как в потребительской электронике, так и промышленном оборудовании, включая твердотельные накопители. В будущем Samsung планирует расширять портфель продукции с технологией 3D V-NAND.

3D V-NAND также имеет ограничения. В Samsung предполагают, что к своему пределу технология подойдет примерно к концу текущего десятилетия.

Информация с сайта www.cnews.ru.

Автор оригинального текста: Сергей Попсулин.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2024.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства