Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Разработана новая технология кристаллизации кремния - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Разработана новая технология кристаллизации кремния - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости технологии » Разработана новая технология кристаллизации кремния

Новости технологии

23 апреля 2008

Разработана новая технология кристаллизации кремния

Фото с сайта www.cnews.ru

Новый способ управления процессом кристаллизации аморфного кремния, разработанный сотрудниками института металловедения им. Макса Планка в Штутгарте (ФРГ), позволит снизить температуру перехода в кристаллическое состояние с 700oС до 150oC, причем в этом диапазоне может быть получено любое значение температуры. Такое заметное снижение температуры даст возможность существенно упростить процесс производства кристаллического кремния и использовать при создании готовых изделий такие материалы, как пластмассы или бумага, на поверхности которых можно будет создавать тонкие слои кремния.

В эксперименте немецких ученых использовался щелевой кристаллизатор. Поверхность аморфного кремния (a-Si) покрывали тонкой пленкой алюминия. Влияние металлов на снижение температуры кристаллизации было известно и ранее, но алюминий с этой точки зрения исследовался впервые. Алюминий, по сути, позволяет снизить энергию, необходимую для активизации процесса кристаллизации.

Кристаллизация начинается на поверхности зерен алюминия при достижении некоторой критической толщины алюминиевой пленки. Ученым удалось выяснить, что для снижения температуры кристаллизации до 200oC нужно иметь пленку толщиной около 20 нм, при меньшей толщине температура возрастает.

Толщина пленки косвенным образом определяет соотношение поверхностной энергии и энергии кристаллической решетки. Поначалу на границах зерен алюминия формируется не слишком упорядоченный кристалл кремния, однако затем в ходе кристаллизации структура становится всё более совершенной и упорядоченной, поскольку этот процесс происходит с понижением свободной энергии (термодинамического потенциала).

Хотя исследователям удалось научиться управлять процессом кристаллизации, детали процесса пока не ясны. В частности, непонятно поведение фрагментов алюминиевой пленки в ходе кристаллизации. Известно лишь, что отдельные атомы алюминия мигрируют по кристаллу и затем собираются в нижней части кристаллического блока кремния.

Информация с сайта www.cnews.ru.




Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2024.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства