Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Toshiba запускает производство флэш-памяти нового типа - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Toshiba запускает производство флэш-памяти нового типа - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости международного рынка » Toshiba запускает производство флэш-памяти нового типа

Новости международного рынка

27 августа 2013

Toshiba запускает производство флэш-памяти нового типа

Корпорация Toshiba приступила к строительству нового цеха по производству флэш-памяти на заводе в префектуре Миэ, Япония, принадлежащего совместному предприятию Toshiba и SanDisk. Событию предшествовала специальная церемония.

В новом цеху планируется производить флэш-память типа NAND, используемой в современной потребительской электронике и корпоративных накопителях, а также флэш-память с многоуровневой структурой (так называемую 3D-память).

В компании считают, что спрос на 3D-память в ближайшие годы существенно возрастет. Расширение производства выполняется в «соответствии с рыночными реалиями», для сохранения конкурентоспособности и прочных позиций Toshiba на мировом рынке. Согласно IHS iSuppli, в 2012 г. доля Toshiba на мировом рынке флэш-памяти составила 31% (второе место после Samsung с долей 37%).

В конце 2012 г. Toshiba продемонстрировала прототип микросхемы памяти с 16 слоями, соединенными вертикальными проводниками диаметром 50 нм.

Toshiba станет не первой компанией, которая приступит к массовому производству многоуровневой памяти. В начале августа Samsung объявила о начале массового производства новых чипов флэш-памяти NAND, емкостью 16 ГБ. В новых микросхемах впервые в промышленных масштабах реализована технология размещения ячеек в объемной структуре 3D V-NAND.

В Samsung утверждают, что 3D V-NAND позволяет добиться 8-кратного увеличения емкости: например, оснастить ноутбук не 128 ГБ памяти, а 1 ТБ.

Новый цех Fab 5 будет построен таким образом, чтобы влияние на окружающую среду было минимальным, заявили в Toshiba. Планируется использование вторичных энергоресурсов и энергоэффективного светодиодного освещения. Архитектры рассчитывают, что объем выбросов парниковых газов в результате работы нового цеха будут на 13% меньше в сравнении с показателем Fab 4. Кроме того, площадку планируется оснастить защитой от землетрясений.

Завершить строительство нового цеха компания планирует летом 2014 г., а приступить к массовому производству 3D-памяти — в 2015 г.

Информация с сайта www.cnews.ru.

Автор оригинального текста: Сергей Попсулин.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2024.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства