Новости технологии

Компания Dow Corning Electronics получила патент в США на новый метод изготовления тонких пленок

Компании Dow Corning Corporation был выдан патент  в США на новый метод изготовления тонких пленок с низкой диэлектрической проницаемостью на основе карбида кремния (SiC)  и гидрогенизированного оксикарбида кремния (H:SiOC). В методе используется процесс газофазного химического осаждения, стимулированного плазмой (PECVD) для запуска реакции газа, выделяющего кислород, с циклическими силановыми компаундами, которые деформируют связи кремния.

Последние несколько лет производители микросхем использовали изоляционные материалы с низкой диэлектрической проницаемостью для уменьшения электрического взаимодействия между транзисторами, что позволяло располагать их близко друг к другу. За счет этого было возможным создание малогабаритных, быстрых и малопотребляющих микросхем. Но по мере уменьшения полупроводниковых устройств традиционные пленки с низкой диэлектрической проницаемостью становятся более предрасположенными к повреждению высокой температурой при технологических процессах и их адгезия к слоям металлизации, используемым для внутренних межсоединений кристалла, ухудшается.

Компания Dow Corning ожидает, что новый технологический процесс будет использоваться для производства промежуточных диэлектрических слоев в следующих поколениях микросхем, начинающихся с устройств, выполненных по технологии 32 нм. 

«Данный патент демонстрирует продолжающееся успешное развитие нашей кремниевой технологии и наше стремление защитить свою интеллектуальную собственность, - говорит Джероен Бломхард (Jeroen Bloemhard), исполнительный директор подразделения Электроники и Передовых Технологий (Electronics and Advanced Technologies Industry) компании Dow Corning. - Мы намерены оставаться значимой фигурой в области кремниевых материалов и продолжаем инвестиции в научные исследования и развитие, чтобы иметь возможность удовлетворять будущие потребности рынка».

Информация с сайтов www.globalsmt.net www.dowcorning.com