Новости САПР

TSMC представила маршруты проектирования 16-нм FinFET на основе ядер Cortex-A15

Логотип с сайта www.3dnews.ru

Ведущая контрактная полупроводниковая кузница TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd.) сообщила о создании трёх пакетов проектирования чипов с использованием так называемых 3D-транзисторов FinFET. Это даёт возможность конструкторам чипов получить более скорый доступ к 16-нм FinFET-технологии TSMC и позволяет создавать кристаллы с технологией TTS (Through-Transistor-Stacking).

Intel была пионером в области коммерческого внедрения FinFET-транзисторов и до сих пор остаётся единственной компанией, которая обладает таким техпроцессом. Однако TSMC, как сообщается, подписала трёхлетний контракт на производство чипов Apple, некоторые их которых будут использовать FinFET. Использование 3D-транзисторов позволяет получить заметные преимущества как в вопросах физического масштабирования, так и сточки зрения энергопотребления.

Производители САПР электроники (EDA) сотрудничали с TSMC в деле разработки и проверки упомянутых маршрутов проектирования на различных чипах. Например, 16-нм FinFET маршрут проектирования использовал многоядерный процессор ARM Cortex-A15 в качестве тестового образца для сертификации.

Информация с сайта www.3dnews.ru с ссылкой на www.eetasia.com.

Автор оригинального текста: Константин Ходаковский.