Новости международного рынка

Революция на пороге: MRAM-память готовится прийти на смену привычной DRAM

Изображение с сайта www.3dnews.ru

Более двадцати японских и американских компаний объединились в альянс для разработки технологий массового производства MRAM (магниторезистивной оперативной памяти) — следующего поколения чипов памяти для компьютеров и мобильных устройств. Для обычных пользователей это может значить только одно: на рынке памяти грядёт революция, благодаря которой будущие устройства станут работать быстрее.

В альянс вошли многие видные игроки на рынке электроники. В их числе такие компании как один из основных поставщиков оборудования для полупроводниковых предприятий Tokyo Electron, производитель полупроводниковых подложек Shin-Etsu Chemical, чипмейкер Renesas Electronics, электронный конгломерат Hitachi и крупнейший американский производитель памяти Micron Technology. Компании, вошедшие в образованный союз, отправят по несколько десятков своих специалистов в Университет Тохоку в северной Японии. Эта объединённая исследовательская команда под руководством профессора Тецуо Эндо (Tetsuo Endoh) начнёт свою работу над перспективными производственными технологиями в феврале следующего года. При этом альянс останется открытым и для других фирм, которые смогут присоединиться к нему в дальнейшем.

MRAM представляет собой память с произвольным доступом, которая хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Важнейшее её преимущество — энергонезависимость, то есть способность сохранять записанную информацию при отсутствии внешнего питания. Технология магниторезистивной памяти разрабатывается с 1990-х годов. Пока она не слишком популярна на рынке, более чем существенно уступая в распространённости DRAM и NAND, но её сторонники убеждены, что MRAM в конечном итоге заменит собой все иные типы памяти, и станет универсальной компьютерной памятью. Внедрение MRAM позволит на порядок увеличить плотность запоминающих устройств и увеличить скорость записи информации по сравнению с классической DRAM как минимум в 10 раз.

Учитывая свойства MRAM, она может найти широкое применение в следующих поколениях мобильных устройств: коммуникаторах и планшетах. Согласно намерениям участников образованного альянса сторонников MRAM, её массовое коммерческое производство должно быть запущено в 2018 году. В то же время не следует забывать, что на рынке присутствует американская компания Everspin Technologies, которая уже поставляет чипы MRAM.

Похоже, что переход индустрии к MRAM — это вопрос времени. Так, например, Toshiba работает над технологиями магниторезистивной памяти вместе с SK Hynix, Samsung ведёт собственные разработки в этой области, а Elpida находится под контролем компании Micron, вошедшей в новообразованный альянс. Таким образом, прямо или косвенно заинтересованность в новой технологии проявляют игроки, суммарно контролирующие до 90 процентов глобального рынка памяти.

Информация с сайта www.3dnews.ru с ссылкой на CNet.

Автор оригинального текста: Илья Гавриченков.