Новости проектов отрасли

«Росэлектроника» поддержит новые микроэлектронные производства и технологические центры в Зеленограде

Изображения с сайта www.zelenograd.ru

За нынешнюю осень «Росэлектроника» и структуры МИЭТа подписали два стратегических соглашения — партнёры намерены создать на площадках Зеленоградского наноцентра и завода «Протон» МИЭТ производство радиационно-стойких микросхем (топологического уровня 0,35—0,25 и 0,25—0,18 микрон), КМОП (EEPROM, Flash-памяти с топологией 180—45нм) и МЭМС (0,35 микрон), производство и дизайн-центр 3D-сборки микросхем по методу TSV.

Также на базе МИЭТа будут развивать материаловедческие и технологические направления: эпитаксиальное выращивание гетероструктур, карбид кремниевые и нитрид галлиевые технологии, технологии «прямого» экспонирования и разработку фотошаблонов уровня до 130 нм в Центре фотошаблонов МИЭТ. В перспективе предусмотрено создание аналитического центра микроэлектроники в Зеленограде.

(Фото © Зеленоградский инновационно-технологический центр.)

МИЭТ, как один из базовых вузов радиоэлектронной отрасли страны, давно поддерживает тесные взаимоотношения с холдингом «Российская электроника», объединяющим государственные активы 124 предприятий и НИИ бывшей электронной промышленности СССР. В сентябре 2013 партнёры заключили соглашение о пролонгации сотрудничества. Второй, более ёмкий документ по спектру новых совместных проектов был подписан в ноябре 2013, после церемонии официального открытия Зеленоградского наноцентра. Его сторонами выступили также группа компаний «Микрон», Зеленоградский инновационно-технологический центр (ЗИТЦ) и Зеленоградский наноцентр (ЗНТЦ).

Государство в лице «Росэлектроники» заинтересовано в развитии отечественной электронной компонентной базы, которая должна заменить зарубежные микросхемы в отечественной аппаратуре, в соответствии с принципами национальной безопасности. Учитывая, что современная инфраструктура микроэлектроники требует больших финансовых вложений, «Росэлектроника» и её зеленоградские партнёры видят смысл взаимодействия в концентрации ресурсов и осуществлении совместных программ. Акцент будет сделан на создание центров микроэлектроники, ориентированных на технологии спецназначения — с невысокой производительностью, но технологически многовариантных.

Основными направлениями сотрудничества станут:

• Радиационно-стойкие электронные компоненты — создание серийного производства топологического уровня 0,25—0,18 микрон и мелкосерийного многофункционального производства уровня 0,35—0,25 микрон на площадях ЗИТЦ (оборудование намерена обеспечить «Росэлектроника»); сборка и испытания продукции спецназначения; проектирование; развитие технологий КМОП на объемном кремнии, кремнии на изоляторе (КНИ), кремнии на сапфире (КНС) на пластинах диаметром 150 мм и 200 мм.
• Технологии 3D-сборки микросхем по методу TSV (межслойных соединений, through-silicon via) — создание дизайн-центра и производства. «Росэлектроника» уже заявляла о планах поставить технологическое и контрольно-измерительное оборудование по этому проекту на площадях завода «Протон». Производство будет выпускать широкий ряд специальных многокристальных микросистем и микромодулей в интересах Минобороны России, Роскосмоса, Росатома и других ведомств. Фактически оно обеспечит заказчиков компактными и эффективными изделиями наноуровня, созданными по технологиям, которые применяют сейчас мировые лидеры в этой области.
• Серийное производство КМОП (EEPROM, Flash-памяти) с топологией 180—45 нм.
• Производство МЭМС с топологией 0,35 микрон и создание на площадях ЗИТЦ Центра эпитаксиального выращивания гетероструктур на основе арсенида галлия и нитрида галлия (GaAs, GaN).
• Развитие карбидкремниевых и нитрид галлиевых технологий (SiC, GaN).
• Разработка и изготовление фотошаблонов для технологического уровня до 130нм — Центр фотошаблонов МИЭТ; развитие технологии «прямого» экспонирования.
• Создание аналитического центра микроэлектроники.

Полный текст статьи.

Информация с сайта www.zelenograd.ru.