Новости компаний
12 декабря 2013
Qualcomm оценивает 3D-технологию производства чипов от Leti: это не TSV
Изображение с сайта www.ostec-group.ru
Qualcomm Technologies подписала технологическое соглашение с институтом CEA-Leti (Франция). Цель договоренности — оценка возможности реализации последовательной 3D-технологии, разработанной французским научным центром.
В последние годы Leti активно работает над новой технологией 3D-интеграции, которая называется последовательной 3D-интеграцией и позволяет осуществлять укладку активных слоев транзисторов в третьем измерении.
Это технология не является аналогом 3D-TSV, которую используют компании Samsung, ST и TSMC.
Последовательная 3D-технология Leti дает возможность обрабатывать все функции в одном потоке производства полупроводников. Это позволяет осуществлять соединения активных областей на уровне транзисторов, делая это с более высокой плотностью, чем позволяет стандартный процесс литографии.

«Чистая комната» института CEA-Leti. Фото CEA-Leti.
По мнению специалистов Leti, новая технология обеспечит 50%-ный выигрыш по площади и 30%-ный выигрыш по быстродействию по сравнению с аналогичной классической 2D-технологией того же поколения.
«Последовательная 3D-технология, как ожидается, будет намного проще и дешевле в реализации, что делает ее потенциальной альтернативой традиционным планарным технологиям», — утверждают специалисты Leti.
Договоренность между Leti и Qualcomm позволит осуществить независимое тестирование этой технологии в контексте практического применения.
Информация с сайта www.ostec-group.ru.
|