Генератор энергии из обычной бумаги Жонг Лин Вонг (Zhong Lin Wang), ученый в области нанотехнологий из Технологического университета Джорджии, уже достаточно давно работает над проблемой использования трибоэлектрического эффекта для создания дешевых, пригодных для вторичной переработки трибоэлектрических генераторов, изготавливаемых из широкодоступных материалов. Группе Вонга удалось добиться достаточно весомого результата, использовав в качестве основного материала обычную бумагу, свернутую в нечто наподобие оригами. подробнее
Корейские ученые повысили эффективность солнечных батарей на 17,9% Группа исследователей из Корейского научно-исследовательского института химических технологий и университета Сонгюнгван достигла рекордной эффективности перовскитных солнечных элементов. Это стало возможно благодаря новой формуле смешивания перовскитных структур, разработанной корейскими специалистами в рамках недавнего исследования. подробнее
20 января 2015
Создан лазер размером с рисовое зерно, накачка которого производится единичными электронами Исследователи из Принстонского университета (Princeton University) изготовили миниатюрный лазер нового типа, размер которого не превышает размеров рисового зернышка. Практическое применение разработанная технология может найти в области квантовых вычислений, где квантовые точки, изготовленные из полупроводниковых материалов, могут выступать в роли квантовых битов, кубитов будущих квантовых компьютеров. подробнее
19 января 2015
Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура В последнее время в новостях, касающихся информационных технологий, все чаще и чаще мелькают сообщения о перспективе замены разных типов памяти современных компьютеров одним типом энергонезависимой и быстродействующей памяти, что позволит получить работающий компьютер с загруженной операционной системой и работающими приложениями сразу же после момента его включения. Некоторые исследователи видят в роли такой универсальной памяти резистивную память ReRAM на мемристорах, а исследователи из Техасского университета в Остине считают самым подходящим кандидатом на эту роль память на основе FeFET-транзисторов, сегнетоэлектрических полевых транзисторов, разработка которых ведется ими в настоящее время. подробнее
Специальная нано-пленка для выполнения операции пайки компонентов — от компании SIPLACE Разработчики SIPLACE создали новую революционную технологию нанесения на печатную плату супер-тонкой нано-пленки, содержащей мельчайшие частицы паяльной пасты. Контакт между компонентом и печатной платой создается непосредственно в процессе монтажа посредством высокоточной лазерной системы, обеспечивающей припаивание компонента за счет оплавления нано-пленки. подробнее
14 января 2015
Создан квантовый накопитель данных с рекордным временем работы Ученые совершили прорыв в области квантовой памяти: они смогли обеспечить устойчивое квантовое состояние материала в течение рекордных 6 часов. Это открыло новые перспективы для исследований квантовых систем хранения и передачи информации. подробнее
12 января 2015
Японские исследователи создали опытные образцы энергоэффективной топологической памяти TRAM Группа ученых создала опытные образцы топологической памяти TRAM (topological-switching RAM), нового типа памяти на основе фазовых переходов, изготовленной на основе кристаллической решетки сложного сплава GeTe/Sb2Te3. Образцы памяти нового типа продемонстрировали крайне высокие показатели энергетической эффективности, что может привести к появлению высокоскоростных устройств хранения данных, таких как SSD-диски, потребляющих при своей работе совсем незначительное количество энергии. подробнее
26 декабря 2014
Мемристор не нужен: встречаем 2-Гбайт RRAM Sony и Micron Резистивная память имеет все шансы появиться в виде коммерческих решений уже в следующем году. Если это произойдёт, то стараниями компаний Sony и Micron — на нынешней конференции IEDM 2014 партнёры показали рабочий образец 27-нм 16-Гбит микросхемы RRAM с отличным быстродействием. подробнее
В Стэнфордском университете создан «многоэтажный» компьютерный чип Исследователи из Стэнфордского университета (США) предложили технологию создания «многоэтажных» компьютерных чипов, которые в перспективе обеспечат существенное увеличение производительности при одновременном сокращении энергии по сравнению с современными процессорами. подробнее
18 декабря 2014
Энергонезависимая память 3D RRAM все ближе к серийному производству Компания Crossbar объявила о «достижении ещё одной ключевой вехи, необходимой для вывода на рынок микрочипов хранения данных терабайтной ёмкости». Речь идёт о разработках в сфере энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом — RRAM, или ReRAM. Теоретически микросхемы RRAM способны обеспечивать примерно такое же быстродействие, что и DRAM, оставаясь при этом энергонезависимыми. По сравнению с флеш-NAND, память нового типа характеризуется меньшим потреблением энергии и на порядок более высоким числом циклов перезаписи. подробнее
Мнение: японская революция в микроэлектронике Компания MinimalFab, конечно из Японии, демонстрирует на выставке Semicon Japan 2014 линию, переворачивающую наши представления о производстве чипов. Вместо огромных чистых комнат и оборудования мега размеров предлагаются минифабы для производства отдельных чипов размером полдюйма. подробнее
08 декабря 2014
Создан первый чип, позволяющий управлять светом при помощи волн звуковых колебаний Исследователи из университета Миннесоты разработали чип, в структуре которого звуковые волны и свет производятся и объединяются таким способом, что становится возможным управление световым потоком при помощи звуковых колебаний. Возможные применения разработки — создание коммуникационных систем нового поколения, использующих оптоволокно, и вычисления с применением эффектов квантовой физики. подробнее
Ученые создали ячейки флэш-памяти, состоящие из единственной молекулы Вместо того, чтобы создавать многослойные структуры из одноатомных материалов, которые являются конденсатором, накапливающим и удерживающим электрический заряд, ученые реализовали возможность накопления заряда в пределах одной молекулы. подробнее