Intel: 8-нм компоненты к 2017 году
Процессоры Intel, созданные с соблюдением норм 32-нм техпроцесса, прочно вошли в жизнь пользователей. С переходом на архитектуру Ivy Bridge компания Intel предложит 22-нм процессоры. Увидеть такие компоненты получиться не ранее 2011 года. Ресурс Extremetech.com рассказал о планах Intel по переходу на более прогрессивные проектные нормы на ближайшие десять лет. подробнее
TDK перейдет на тепловую магнитную запись?
Компания TDK, производящая, в частности, головки для жестких дисков, приобрела у компании Veeco оборудование для производства устройств, использующих метод тепловой магнитной записи (Heat-Assisted Magnetic Recording, HAMR). Данный факт можно рассматривать как очередной сигнал, свидетельствующий об окончании господства технологии перпендикулярной записи на рынке магнитных накопителей. подробнее
27 апреля 2010
Ёмкость микроконденсаторов повышена вдвое
Как сообщает пресс-служба Лаборатории Лоуренса в Беркли (США), разработана технология, позволяющая массово производить компактные конденсаторы очень высокой ёмкости, которые можно было бы использовать в качестве накопителей энергии в мобильных устройствах вместо традиционных и громоздких аккумуляторных батарей. подробнее
TSMC планирует перейти на 20 нм в 2012 году
На Технологическом Симпозиуме, организатором которого является крупнейший мировой производитель полупроводниковых компонентов TSMC, стало известно об изменении планов компании относительно следующего шага на пути уменьшения технологических норм техпроцесса производства транзисторов. Выяснилось, что чипмейкер намерен пропустить 22-нанометровый производственный процесс и перейти сразу к 20-нм технологиям. подробнее
13 апреля 2010
Солнечные 3D-панели могут оказаться в 2,5 раза эффективнее плоских
Широко используемые плоскопанельные солнечные элементы в общем случае имеют один существенный недостаток – неравномерная отдача электроэнергии в течение дня. Установка же систем слежения за солнцем значительно поднимает стоимость конструкции и сводит на нет все преимущества бесплатной энергии. Группа ученых из Массачусетского технологического института разработала математическую модель объемной солнечной панели для исследования оптимально эффективной формы. подробнее
12 апреля 2010
Алмазные чипы – будущее электроники
Группа японских исследователей Diamond Wafer Team под руководством Хидэаки Ямада считает, что наступит время, когда вместо кремния для в качестве материала полупроводниковых пластин можно будет использовать искусственные алмазы. Исследователям удалось разработать технологию, при которой из одного кристалла-затравки можно вырастить несколько пластин-клонов с одинаковой структурой. подробнее
09 апреля 2010
HP разработала замену традиционным транзисторам
Инженеры из Hewlett Packard разработали технологию, которая может прийти на смену традиционным транзисторам. В ее основе лежат резисторы с памятью, или мемристоры, обладающие способностью хранить информацию без поступления электрического тока, что делает их весьма перспективными для создания элементов памяти. подробнее
08 апреля 2010
Hitachi разработала литий-ионную батарею с рекордным сроком службы
Японская компания Hitachi сообщила, что ее инженерам удалось разработать технологию, за счет которой удастся повысить срок службы литий-ионных батарей вдвое. Это произойдет благодаря повышению срока службы марганцевых катодов, которые и являются самым слабым звеном в литий-ионных аккумуляторах. подробнее
07 апреля 2010
Солнечные панели перейдут на пластик
Группа исследователей из Принстонского университета разработала технологию изготовления солнечных панелей из пластика, которая может значительно снизить стоимость их производства. Исследователям удалось создать пластиковый транзистор, не подверженный деградации под воздействием солнечных лучей, а сама технология изготовления напоминает печать на принтере. подробнее
Ученые работают над созданием напыляемых органических транзисторов
Ученые из Национального института Стандартов и Технологий США (NIST) работают над технологией производства полупроводниковых систем больших площадей, таких как солнечные батареи и дисплеи, рассматривая распыление в качестве метода нанесения полупроводниковых структур на поверхность. подробнее
01 апреля 2010
Ученые создали самый миниатюрный в мире сверхпроводник
Ученым из Университета Огайо удалось создать самый миниатюрный в мире сверхпроводник, представляющий собой полоску из четырех пар молекул шириной менее 1 нм и длиной 3,5 нм, что является первым доказательством возможности изготовления наноразмерных сверхпроводящих молекулярных проводов, которые можно было бы использовать в наномасштабных электронных устройствах. подробнее
31 марта 2010
Первый в мире графеновый оптический канал
Подразделение электронного гиганта IBM, лаборатория IBM Research, продемонстрировало общественности новую разработку в области передачи данных по оптическому каналу. В качестве канала между истоком и стоком на полевом транзисторе, работающем с пропускной способностью 10 Гбит/с, был использован графен. подробнее
29 марта 2010
Гибкие полупроводники могут обеспечить революцию в медицине
Для борьбы с сердечной аритмией исследователями Университета Иллинойса разработан гибкий массив датчиков, который может быть обернут вокруг обширного участка сердечной мышцы за одну операцию. Массив содержит 2016 кремниевых наномембран-транзисторов, каждый из которых используется для мониторинга сокращений сердца. подробнее
QuantumFilm – революционный сенсор изображения?
Стартап-компания InVisage Technologies, которая специализируется на поиске новых способов захвата света и преобразования его в электрический сигнал, заявила о разработке новой технологии QuantumFilm. Эта технология предусматривает использование новых полупроводниковых материалов, а сенсоры на её основе являются первыми созданными в коммерческих целях датчиками изображения на базе квантовых точек. подробнее
22 марта 2010
Z-RAM готова заменить DRAM?
Компания Innovative Silicon, Inc. заявила о двух существенных прорывах в своей технологии памяти Z-RAM. Инженерам ISi удалось снизить напряжение питания Z-RAM до уровня ниже 1 В. Это самое низкое значение среди других технологий памяти с «плавающим телом». подробнее
22 марта 2010
Печатные RFID-метки заменят штрих-код
Предложена новая методика производства RFID-меток, основанная на использовании специальных чернил, содержащих углеродные нанотрубки, и метода рулонной печати. Из чернил изготавливаются тонкопленочные транзисторы, являющиеся основным элементом RFID-меток, распечатываемых на бумаге или пластике. подробнее