В Японии разработана технология печати MEMS-дисплеев
Японский Институт индустриальных наук (Institute of Industrial Science, IIS) и Токийский университет заявили об успешной разработке технологии производства MEMS-дисплеев путем их печати на прозрачном рулонном материале. Исследователи утверждают, что изготовление дисплеев подобным способом позволит снизить себестоимость квадратного метра до нескольких долларов. По принципу построения предложенные дисплеи подобны широко применяемым трансмиссивным ЖК-матрицам, которые, по сути, динамически формируют маску светофильтра необходимых цветов на пути распространения света от источника подсветки к глазу наблюдателя. Однако способ формирования таких светофильтров в MEMS-дисплеях иной, кроме того, по словам разработчиков, новые дисплеи могут состоять из шести наложенных слоев, вместо десяти в трансмиссивных ЖК-матрицах.
31 октября 2008
Intel раскроет подробности своих 32-нм микросхем
На грядущей конференции IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), по традиции, одним из главных докладчиков станет компания Intel, представители которой планируют раскрыть детали своего 32-нм технологического процесса для изготовления высокопроизводительных микропроцессоров. Согласно предварительной информации, разработчикам компании удалось создать тестовую интегральную микросхему статической SRAM-памяти емкостью 291 Мбит, причем площадь ячейки составляет 0,171 кв. мкм. При этом конструкция устройства составляет примерно 2 млрд транзисторов. Микросхема функционирует на частоте 3,8 ГГц при рабочем напряжении 1,1 Вольт.
27 октября 2008
МГУ и IBM готовят альтернативу транзисторам
МГУ имени Ломоносова и компания IBM займутся совместными исследованиями в области нанотехнологий с применением суперкомпьютера Blue Gene/P, установленного на факультете вычислительной математики и кибернетики (ВМК). Первым проектом станет изучение наномолекулярных электронных переключателей, которые со временем могут вытеснить традиционные транзисторы и совершить революцию в мире микросхем.
24 октября 2008
Отрасль приняла первый стандарт для 450-мм пластин
После выдвижения нескольких конкурирующих предложений International Sematech, SEMI и другие представители полупроводниковой отрасли сформулировали первый, так называемый «механический» стандарт для 450-мм кремниевых пластин.
23 октября 2008
Разработана технология плазмонной литографии В Калифорнийском университете в Беркли разработана технология так называемой «плазмонной» литографии, позволяющая создавать более миниатюрные микроизделия, нежели это возможно ныне.
17 октября 2008
Токопроводящие нанотрубки помогут в создании космических микросхем
Инженеры университета Дейтона, штат Огайо, США изобрели нанотрубки на основе сухого клея, которые можно использовать для соединения элементов на печатных платах. Состав с высокой электропроводностью и теплопроводимостью будет скреплять компоненты плат по такому же принципу, по какому работают присоски на лапах ящерицы геккона.
Создан нешумящий усилитель
Исследовательская группа Национального института стандартов и технологий США (NIST) и JILA, объединенного института NIST и университета Колорадо в г. Боулдер под руководством доктора Кастелланоса-Белтрана (M. A. Castellanos-Beltran) объявила о создании первого в своем роде нешумящего усилителя, который может найти применение в квантовых системах различного назначения.
14 октября 2008
Использование 450-мм кремниевых пластин начнется не ранее 2017 года
Очередным этапом развития технологии изготовления интегральных микросхем становится не только переход на более «тонкие» техпроцессы, но также и начало использования кремниевых пластин больших размеров. И если сегодня стандартом является применение 300-мм «полуфабрикатов», то следующее поколение фабрик будет оперировать 450-мм пластинами. Однако эксперты на сегодняшний день расходятся в оценках, когда ожидать модернизации производственных мощностей.
13 октября 2008
В массовой электронике будет задействована сверхпроводимость
Американские исследователи разработали сверхтонкие пленки, которые при наложении их друг на друга образуют сверхпроводник. Это достижение может привести к появлению нового класса энергосберегающей электроники.
02 октября 2008
TSMC делает ставку на 28-нм техпроцесс
Ведущий тайваньский производитель интегральных микросхем, компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), поделился своими планами в отношении перехода на новые технологии изготовления микрочипов. Наиболее интересной представляется информация о 28-нм техпроцессе, ведь именно в этом случае компания впервые будет формировать затворы на основе металлических материалов, либо материалов с высокой диэлектрической константой. Ранее предполагалось, что подобная технология будет применяться уже в случае 32-нм техпроцесса, однако TSMC решила не торопить события. Тем не менее, этот ход сложно назвать выигрышным на фоне конкурентов Chartered, IBM и Samsung, которые начнут использовать high-k/металлические затворы уже в случае 32-нм техпроцесса.
28 августа 2008
IBM: нанотрубка как источник света
Исследователи IBM Corp. представили метод электронного контроля спектра, распределения и эффективности светоизлучающих нанотрубок (light-emitting nanotubes, LEN). Ранее были показаны кремниевые оптические волноводы и высокоэффективная электролюминесценция LEN, сравнимая с LED. Теперь LEN помещены внутрь оптического волновода для достижения направленной поверхностной эмиссии, избирательности длины волны и высокой эффективности.
18 августа 2008
Электричество из теплоты — серьезная альтернатива солнечным ячейкам
Ученые Национальной лаборатории штата Айдахо Департамента Энергетики США считают, что пластиковые листы, состоящие из миллиардов наноантенн, которые собирают тепловую энергию, выделяемую Солнцем и другими источниками, могут значительно повысить использование этого вида энергии.
06 августа 2008
Молекулярная электроника получила недостающий элемент
Новый способ формирования контакта металл-молекула позволит легко соединять отдельные молекулы и создавать функциональные блоки в устройствах молекулярной электроники.
Иммерсия станет будущим DRAM-рынка
В индустрии DRAM (динамической оперативной памяти) традиционная технология сухой литографии с применением фторида аргона (ArF) все еще остается основным инструментом их производства с пределом в 65 нм. Это подразумевает, что для использования элементов меньших размеров требуется другая технология.
14 июля 2008
Память на мемристорах будет работать подобно мозгу человека
В апреле Hewlett Packard доказала факт сущеcтвования мемристоров. Мемристоры — четвертый элемент электротехнической теории цепи, наряду с резисторами, емкостями и индуктивностями. Сейчас HP продемонстрировала, как можно контролировать мемристор, который изменяет сопротивление в зависимости от протекающего по нему тока, и тем самым сделала шаг в направлении создания прототипа и выпуска нового запоминающего устройства — RRAM (resistive random-access memory) — к 2009 году.
11 июля 2008
Создан новый источник излучения для литографии в дальнем ультрафиолете Новый источник излучения для использования в системах литографии в дальнем ультрафиолете (Extreme UltraViolet Lithography, EUVL), разработан в университете штата Калифорния в г. Сан-Диего (США) совместно с компанией Cymer. Новая технология позволит многократно увеличить объем чипов памяти.
09 июля 2008
Разработан счетчик фотонов на основе фотодиода
Детекция фотонов является одной из ключевых технологий, использующихся в квантовой криптографии и оптических квантовых компьютерах. Поскольку лавинные фотодиоды дешевы, широко доступны и просты в использовании, разработка имеет важное значение для указанных областей.
В Японии разработана технология печати MEMS-дисплеев
Intel раскроет подробности своих 32-нм микросхем
Токопроводящие нанотрубки помогут в создании космических микросхем
Использование 450-мм кремниевых пластин начнется не ранее 2017 года
В массовой электронике будет задействована сверхпроводимость
IBM: нанотрубка как источник света.jpg)
Разработана технология создания гибких транзисторов из нанотрубок
Память на мемристорах будет работать подобно мозгу человека