10-нм техпроцесс будет введен в 2012 году По мнению официальных представителей корпорации Intel, в 2012 г. производители микрочипов перейдут на 10-нм технологический процесс. Через четыре года, после начала использования 450-мм кремниевых подложек, компании, владеющие собственными фабриками по изготовлению полупроводников, смогут делать транзиторы величиной 10 и менее нанометров.
04 июля 2008
Представлен оптический чип с рекордным быстродействием
Исследователи компании Intel представили кремниевый чип, преобразовывающий электрические сигналы в оптические с рекордной скоростью 200 Гбит/с. Как отмечают разработчики компании, прежде чем подобные оптические чипы будут выведены на рынок, они будут усовершенствованы. На чипе планируется расположить 25 модуляторов, каждый из которых будет работать со скоростью 40 Гбит/с.
30 июня 2008
Разработана технология изготовления трехмерных магнитных наноструктур Ученые из Национального института стандартов и технологий (NIST) разработали технологию изготовления сложных трехмерных наноструктур из магнитных материалов, таких как никель и железоникелевый сплав. Новая технология может использоваться для изготовления сложных микроэлектромеханических устройств, в которых для соединения магнитных материалов с немагнитными компонентами могут использоваться широко распространенные в электротехнике методы.
Qimonda будет разрабатывать 30-нм память вместе с компанией Elpida
Компании Qimonda и Elpida Memory, лидирующие мировые производители модулей памяти, объявили о подписании итоговых соглашений по совместной разработке и развитию компонентов памяти DRAM. Данное сотрудничество позволит обоим участникам усилить свои позиции ведущих технологических разработчиков.
23 июня 2008
Изготовлена первая экситонная интегральная схема
Ученые из Соединенных штатов разработали новый тип интегральных схем, которые способны управлять световыми импульсами, не преобразуя их в электрические сигналы.
IBM "пронзила" чипы водяными капиллярами
На днях исследователи компании IBM в сотрудничестве с институтом им. Фраунгофера (Берлин) продемонстрировали прототип, в котором каналы охлаждения интегрированы непосредственно в трехмерную микросхему, а вода пропускается между слоями этого чипа.
05 июня 2008
Коммерческое производство нанотрубок готовится к старту
Все готово для появления коммерческих чипов на базе углеродных нанотрубок – считает первый производитель пленок из этого материала, предлагающий свою продукцию чипмейкерам, не имеющим собственных заводов. Технологии производственных процессов, позволяющих получать пленки длиной 20 см из углеродных нанотрубок, разработаны компанией Nantero, а собственно выпуск освоен на заводе компании SVTC Technologies, уже получившей прототипы коммерческой продукции.
05 июня 2008
Toshiba разработала технологию упаковывания MEMS толщиной 0,8 мм
Toshiba Corporation представила две оптимизированные технологии полупроводниковых пакетов для микроэлектромеханических систем (MEMS), которые позволяют достичь значительного сокращения их стоимости.
Нанотехнологи готовят замену полупроводниковым элементам памяти
Изготовлена первая экситонная интегральная схема
IBM "пронзила" чипы водяными капиллярами
Коммерческое производство нанотрубок готовится к старту
Toshiba разработала технологию упаковывания MEMS толщиной 0,8 мм