Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Разрабатывается новый лазер для оптоэлектроники - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Разрабатывается новый лазер для оптоэлектроники - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости перспективных технологий » Разрабатывается новый лазер для оптоэлектроники

Новости перспективных технологий

27 марта 2014

Разрабатывается новый лазер для оптоэлектроники

Изображение с сайта compulenta.computerra.ru

Вивек Кришнамурти (Vivek Krishnamurthy), представляющий Институт хранения информации сингапурского Агентства по науке, технологиям и исследованиям (A*STAR), вместе с коллегами работает над лазером на микросхеме, демонстрирующей меньшее энергопотребление и по эффективности превосходящей все существующие аналоги.

Удастся ли оптоэлектронике повысить скорость передачи данных между микросхемами? (Фото HTDS.)

Идея интеграции лазеров в кремниевую микроэлектронику давно витает в воздухе. Оптическая передача данных на дистанциях от нескольких микрометров (внутри самих микросхем) до сотен метров (в дата-центрах) энергетически эффективнее обычных шин, поскольку процедура переноса информации в микросхеме сопровождается большим расходом энергии на преодоление электрического сопротивления. Поглощение же в оптической системе передачи данных на расстояниях менее одного километра довольно мало, но источник такой оптической информации (лазер) выступает здесь важным ограничивающим фактором.

Особенно это касается переноса информации на малые дистанции, да и лазеры на кремнии выглядят не лучшим образом, поскольку кремний — плохой источник вынужденного излучения. Поэтому ранее учёные пытались использовать для создания интегрированных в микросхему лазеров плёнки фосфида иридия, прикрепляемые к кремниевой пластине.

Проведя моделирование передачи сигнала на малые расстояния, группа г-на Кришнамурти пришла к выводу, что оптимальным вариантом будет передача светового сигнала через кремний, в который свет придётся предварительно вводить посредством оптических каналов. Несмотря на то что такая схема предполагает появление в оптоэлектронной схеме промежуточного звена, потребление энергии при передаче информации всё равно сократится примерно в 3—4 раза по сравнению с существующими методами, дополнительно снизив тепловую нагрузку на оборудование.

Исследователи уже начали экспериментальную проверку подобного лазера на плёнке из фосфида иридия.

Отчёт об исследовании опубликован в журнале IEEE Photonics Technology Letters.

Подготовлено по материалам A*STAR.

Информация с сайта compulenta.computerra.ru.

Автор оригинального текста: Александр Березин.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2022.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства