Новое оборудование и материалы

Восковые адгезивы временного присоединения для прецизионного утончения полупроводниковых пластин и подложек — от компании AI Technology

Изображение с сайта www.smtnet.com

Компания AI Technology (AIT) разработала серию адгезивов со свойствами воска для решения задач временного присоединения полупроводниковых пластин и подложек для выполнения операции механического утончения их задней стенки. Хотя во многих подобных задачах в настоящее время вместо традиционного воска применяются адгезивные ленты, тем не менее, воск, который может быть нанесен с толщиной слоя до 10 мкм, все еще обладает многими преимуществами по сравнению с более толстыми адгезивными лентами. Это особенно справедливо для более агрессивных техпроцессов и более хрупких полупроводниковых пластин и подложек.

Воскоподобные материалы компании AIT обладают точно заданной точкой плавления 80 °С или 160 °С, их остатки полностью удаляются изопропиловым спиртом или ацетоном. Материалы подходят для всех четырех основных методов утончения полупроводниковых пластин и подложек: механическое утончение (mechanical grinding), химико-механическое полирование (chemical mechanical polishing, CMP), влажное травление и обработка плазмой (wet etching and atmospheric downstream plasma, ADP), сухое химическое травление (dry chemical etching, DCE).

Жидкий воск для механического утончения (BGL) может наноситься методом центрифугирования для формирования пленки толщиной до 10 мкм (толщина слоя может варироваться настройками процесса или путем разбавления воска изопропиловым спиртом). Прочность на сдвиг полупроводниковой пластины составляет более 500 psi при температуре до 15 °С ниже точки плавления.

Одно из решений серии, материал BGL7080, сохраняет устройчивое присоединение при нагреве до 60 °С. Высокотемпературные воски, например, BGL70160-HV и BGL7080-HV7, сохраняют устойчивое присоединение при температуре до 135 °С и 150 °С, соответственно. Эти воски способны выдерживать кратковременные воздействия высоких температур до 225 °С.

Отделение осуществляется плавлением воска при высокой температуре и последующим механическим подъемом или аккуратным сдвигом пластины или кристалла. Для высокотемпературных восков применяется погружение и отмачивание в ванне с изопропиловым спиртом с нагревом ванны до температуры 40—60 °С для ускорения этого механизма отделения.

По материалам www.smtnet.com.