"Деформированный" кремний – будущее высокопроизводительных чипов С уменьшением размеров транзисторов в чипах производительность вычислительных систем постоянно повышается, однако без модификации конструкции этих элементов отрасль рано или поздно встретится с большими сложностями. Один из многообещающих методов разрешения проблемы – это кремниевые нанопроводники, представляющие собой крошечные нити из кремния, натянутые между электропроводящими площадками.
28 декабря 2009
Создан первый в мире транзистор из одной молекулы
Команда в составе учёных из Йельского университета и Кванджуйского института наук и технологий, Южная Корея, успешно создала первый транзистор из единственной молекулы. Исследователи продемонстрировали, что присоединённая к золотым контактам молекула бензола ведёт себя как кремниевый транзистор.
21 декабря 2009
Первые трёхмерные интегральные схемы из нанотрубок
Исследователи из Стэнфордского университета создали первые трёхмерные электронные схемы из нанотрубок. Данное достижение может стать важнейшим шагом на пути к компьютерам с вычислительными элементами на основе нанотрубок, обладающим превосходящим сегодняшнюю "кремниевую" технику быстродействием и потребляющим меньше энергии.
21 декабря 2009
Intel усовершенствовала транзисторы следующего поколения
Intel заявила об успешном изготовлении полевого транзистора с использованием индий-галлий-арсенида (InGaAs) на кремниевой подложке путём интегрирования затвора с высокой диэлектрической постоянной. Изолятор с высоким значением этого параметра позволяет уменьшить толщину оксида затвора без последствий в виде роста утечек зарядов.
Новые материалы для транзисторов
Исследователи из Лаборатории технологий микросистем Массачусетского технологического института (MIT’s Microsystems Technology Laboratories) изучают возможность продолжения следования Закону Мура при помощи использования экзотических для транзисторов материалов. На международной конференции International Electron Devices Meeting (IEDM) 2009 они представили свой взгляд на будущее электроники.
11 декабря 2009
Toshiba представила спинтронный транзистор
Toshiba представила MOSFET-транзистор, построенный на основе так называемого спинового токопереноса, происходящего за счет управления спином электронов. Появление подобного компонента весьма многообещающе – на его базе могут быть созданы быстродействующие энергонезависимые логические модули с функцией запоминания, имеющие к тому же чрезвычайно низкий уровень энергопотребления. Демонстрация первой стабильной спинтронной ячейки Toshiba произошла во время проходившего с 7 по 9 декабря в Балтиморе международного семинара по электронным устройствам.
10 декабря 2009
Toshiba предложила технологию для 20-нм КМОП полупроводников
Компания Toshiba заявила о разработке новой технологии создания слоев кремния с включениями примесей, которая, по ее словам, позволит решить ключевые проблемы, связанные с использованием недорогой комплементарной логики на КМОП-транзисторах для производства чипов по 20-нм нормам.
10 декабря 2009
IBM: 11 нм не предел для кремниевых чипов
Компания IBM провела две серии презентаций, в которых были затронуты проблемы технологий производства полупроводниковых устройств. В лекциях под названием “Scaling Challenges: Device Architectures, New Materials, and Process Technologies” основное внимание представители IBM уделили микротехнологиям. В других под названием “Low Power/Low Energy Circuits: From Device to System Aspects” были рассмотрены вопросы снижения потребляемой мощности устройств.
09 декабря 2009
Беспроводная передача энергии готова к коммерческому использованию
Будущее оказалось гораздо ближе, чем казалось. Год назад мы говорили о первых шагах и перспективах передачи энергии без проводов. Теперь же американская компания WiTricity заявила о готовности одноименной технологии передачи энергии «по воздуху» для коммерческого использования.
08 декабря 2009
Первая нить из нитрид-борных нанотрубок
При помощи лазеров исследователи создали первую макроскопическую нить из волокон нитрида бора, что открывает путь к целому ряду приложений – от противорадиационных щитов для космических кораблей до защитного облачения для тела.
25 ноября 2009
Первые прототипы 32-нм оптоэлектронных чипов
Компьютерные чипы, в которых для передачи данных используется свет вместо электронов, потребляют намного меньше энергии и обладают другими преимуществами, но пока они остаются лишь опытными лабораторными образцами. Профессоры Владимир Стоянович (Vladimir Stojanović) и Раджив Рем (Rajeev Ram) из Исследовательской лаборатории электроники и Лаборатории технологий микросистем при Массачусетском технологическом институте (MIT) надеются достигнуть большего прогресса путём создания оптического чипа, который может изготавливаться с применением обычного технологического полупроводникового процесса.
24 ноября 2009
Оптические резонаторы перемещают нанообъекты
Исследователи из Корнельского университета заявили о создании оптического резонатора, способного оказывать относительно сильное воздействие на объекты микромира. Ожидается, что оптический нанорезонатор можно будет использовать для усовершенствования конструкций MEMS- и MOMS-систем.
20 ноября 2009
Toshiba создала молекулярный фоторезист для EUV-литографии Toshiba заявляет о том, что разработала высокочувствительный фоторезист для литографического процесса с применением сверхглубокого ультрафиолета EUV. Преимущества материала подтверждены в ходе испытаний с использованием 20-нм техпроцесса.
18 ноября 2009
Сверхдлинные нанотрубки – будущее передающих линий
Когда речь заходит о нанотрубках, большинство исследований сконцентрированы вокруг выполнения ими задач в наномасштабе. Но команда исследователей из Университета Райса (Rice University) пошла дальше, создав структуры их углеродных нанотрубок длиной в сотни метров и толщиной 50 мкм. Утверждается, что ограничения на длину вообще нет, а значит, открываются возможности решения крупномасштабых задач, включая разработку инновационных линий передачи энергии и строительных материалов.
17 ноября 2009
Разработан универсальный программируемый квантовый процессор
Физики из американского Национального института стандартов и технологий (National Institute of Standards and Technology, NIST) продемонстрировали первый универсальный программируемый квантовый процессор, который способен обрабатывать любую программу, удовлетворяющую правилам квантовой механики для двух квантовых битов (кубитов). Разработка может стать частью будущего квантового компьютера, который сможет решать проблемы, не поддающиеся сегодняшним вычислительным системам.
13 ноября 2009
Батареи с ионной жидкостью – прорыв среди аккумуляторов
Вышедшая из Университета Аризоны (Arizona State University) компания планирует создать новый источник питания с плотностью хранимой энергии, в 11 раз превосходящей литий-ионные батареи, при втрое меньшей стоимости.
12 ноября 2009
Солнечные батареи из оптоволокна эффективнее панельных в 6 раз
Солнечные элементы из оптоволокна на основе сенсибилизированных красителей (Dye-sensitized solar cells, DSC) не только позволяют изготавливать гибкие источники питания, но и, как показывают исследователи из Технологического института Джорджии (Georgia Institute of Technology), эффективнее панельных в 6 раз.
11 ноября 2009
Разработан новый метод производства графена
Как сообщает пресс-служба Корнельского университета (США, г. Итака, штат Нью-Йорк), разработана относительно простая технология создания графеновых электронных устройств. Работа Transfer-Free Batch Fabrication of Single Layer Graphene Transistors опубликована в журнале Nano Letters.
"Деформированный" кремний – будущее высокопроизводительных чипов 
Создан первый в мире транзистор из одной молекулы
Первые трёхмерные интегральные схемы из нанотрубок
Intel усовершенствовала транзисторы следующего поколения
Новые материалы для транзисторов
Toshiba представила спинтронный транзистор
Toshiba предложила технологию для 20-нм КМОП полупроводников
IBM: 11 нм не предел для кремниевых чипов
Беспроводная передача энергии готова к коммерческому использованию
Первая нить из нитрид-борных нанотрубок
Первые прототипы 32-нм оптоэлектронных чипов
Оптические резонаторы перемещают нанообъекты
Toshiba создала молекулярный фоторезист для EUV-литографии 
Сверхдлинные нанотрубки – будущее передающих линий
Разработан универсальный программируемый квантовый процессор
Батареи с ионной жидкостью – прорыв среди аккумуляторов
Солнечные батареи из оптоволокна эффективнее панельных в 6 раз
Жидкие кристаллы с цветным излучением удешевят дисплеи