Солнечные панели будут печатать на стенах и крышах Ячейки солнечных панелей, возможно, вскоре станут намного дешевле благодаря "чернилам" из наночастиц, которые позволят печатать фотоэлектрические компоненты на различных поверхностях – стенах зданий, крышах, окнах. Брайан Когель (Brian Korgel), инженер-химик из Техасского университета (University of Texas) в Остине, надеется на сокращение себестоимости в десять раз путем замены стандартного дорогостоящего технологического процесса производства, включающего осаждение из газовой фазы в вакуумной камере.
25 августа 2009
Создан пластиковый полупроводник
Исследователи из Вашингтонского университета (University of Washington) разработали первый в мире полупроводник из пластика, способный проводить как положительные, так и отрицательные заряды. Новый материал, по словам, разработчиков, будет существенно дешевле традиционных полупроводников и позволит создавать более тонкие и гибкие компоненты электроники.
24 августа 2009
Термоядерные технологии как будущее электронных чипов
Ученые занимаются адаптацией технологий, используемых в области термоядерной энергетики, чтобы создать сверхтонкие плазменные лучи для нового класса "нанолитографии" – техпроцесса производства будущих электронных чипов. Разрабатываемая технология литографии на основе плазмы генерирует "экстремальный ультрафиолет" с длиной волны 13,5 нм – менее одной десятой длины волны излучения в сегодняшнем техпроцессе.
17 августа 2009
IBM сообщает о новой перспективной технологии изготовления микросхем по принципу ДНК
Американские исследователи добились существенных результатов в процессе объединения технологии самосбора молекул ДНК и современных технологий производства микросхем. По словам ученых, разработанная ими методика позволит существенно сократить затраты при миниатюризации транзисторов после 22-нм нормы.
11 августа 2009
Выявлено аномальное поведение электронов в топологическом изоляторе
Как сообщает пресс-служба Принстонского университета, двум исследовательским группам университета удалось независимо показать наличие аномалий в поведении электронов в перспективном "топологическом" изоляторе на основе висмута.
11 августа 2009
Создан электронный MEMS-фильтр
Исследовательской группе нанотехнологического центра Бирка под руководством Джеффри Роадса (Jeffrey Rhoads) удалось разработать новый класс микро-электро-механических (MEMS) устройств, способных эффективно выполнять роль фильтров и усилителей в электронных приборах.
03 августа 2009
Графен заменит медь в интегральных микросхемах
Уникальные свойства графена, в частности, необычное поведение носителей заряда в нем, известны ученым с 2004 года, однако до сих пор этот материал не перестает удивлять исследователей. Как показали последние исследования специалистов Технологического Университета Джорджии, графен позволяет проводить в тысячу раз больший ток, нежели медные проводники, и при этом выделяя в десять раз меньше энергии в виде тепла. Это делает возможным использование графена в качестве материала для создания проводящих соединений толщиной менее 22 нанометров.
03 августа 2009
COLED - новая технология органических диодов
Ученые некоммерческого исследовательского института SRI International и базирующейся в Японии химической компании Showa Denko KK (SDK) скомбинировали резонансный органический светоизлучающий диод (cavity organic light-emitting diode, COLED) и светоизлучающие полимеры производства SDK. COLED - это принципиально новая структура, использующая резонаторы для генерации в пять раз большего количества света по сравнению с традиционной OLED. По эффективности устройства потенциально в два раза превосходят флуоресцентные лампы, содержащих ртуть и имеющие проблемы с физическим размещением в компактных приборах.
30 июля 2009
Вибрирующие нанотрубки - будущее электронных датчиков
Исследователи из Делфтского технического университета (TU Delft), Нидерланды, успешно измерили воздействие единичного электрона на вибрирующую углеродную нанотрубку. Результаты были опубликованы 23 июля в онлайн-версии журнала Science в статье под авторством доктора Гэри Стила (Gary Steele).
21 июля 2009
Ученые открыли отталкивающую силу света
Команда исследователей Йельского университета (Yale University) открыла отталкивающую силу света, которая может использоваться для управления компонентами на кремниевых микрочипах, показывая, что будущие наноустройства будут управляться скорее при помощи света, а не электричества.
17 июля 2009
Global Foundries выжмет максимум из 300-мм кремниевых пластин
Для индустрии микроэлектроники важным мероприятием является выставка-конференция SEMICON West, ежегодно проводимая в Сан-Франциско (США). За три выставочных дня у участников есть возможность представить свои планы развития, встретиться с партнерами по бизнесу и обменяться опытом. Мероприятие также служит платформой для заключения контрактов на сотрудничество.
15 июля 2009
Мемристор станет основой для искусственного интеллекта
В далеком 1971 году профессор Леон Чуа разработал теоретические основы нового пассивного элемента электросхемотехники, который мог стать основой для всех электрических схем и использоваться наряду с сопротивлением, конденсатором и индуктивностью. Но на практике реализовать эту идею не удавалось вплоть до 2008 года, когда инженеры компании Hewlett-Packard впервые сообщили о создании на основе диоксида титана работающего мемристора. Наиболее важной характеристикой мемристора является способность менять свое сопротивление и запоминать свое состояние в течение долгого промежутка времени.
08 июля 2009
Навстречу 450-мм кремниевым пластинам
Несмотря на общий спад мировой экономики и IT-индустрии в частности, консорциум International Sematech настаивает на продолжении освоения производства кристаллов с использованием 450-мм кремниевых пластин.
26 июня 2009
«Молекулярный» свет лампочки будущего
Ученые создали специальные молекулы, излучающие белый свет. Основу нового источника света составляет пара органических молекул, связанных ковалентной связью, излучающая свет оранжевого и голубого цвета. При подаче определенного напряжения происходит смешение цветов, и светодиод излучает практически идеальный белый свет.
22 июня 2009
Intel масштабировала 193-нм литографию для 15-нм норм
Компания Intel заявила о том, что ей удалось – по меньшей мере, в лабораторных условиях – использовать литографические инструменты "глубокого ультрафиолета" (DUV, Deep Ultraviolet) с длиной волны 193 нм для 15-нм техпроцесса. Это достижение является результатом дальнейшего развития техники иммерсионной технологии и различных форм двойного сканирования. Таким образом, представления о предельных возможностях 193-нм литографии вновь пересматриваются, а вместе с этим в очередной раз может быть отложен вопрос о переходе на использование литографических процессов с применением сверхглубокого ультрафиолета (EUV, Extreme Ultraviolet) с длиной волны порядка 13 нм, где еще существует целый ряд нерешенных вопросов.
19 июня 2009
NEC и Toshiba объединились с IBM для разработки 28-нм технологий
NEC Electronics и Toshiba заявили о расширении соглашения с IBM в области совместной разработки перспективных технологий, включая 28-нм техпроцесс, применение сочетаний диэлектриков с высоким значением диэлектрической постоянной и металлических затворов (High-K/Metal Gate, HKMG) и технологии производства чипов с низким уровнем энергопотребления для потребительской электроники. Таким образом, NEC и Toshiba присоединились к технологическому альянсу, возглавляемому IBM и включающему компании Chartered Semiconductor, GLOBALFOUNDRIES, Infineon Technologies, Samsung Electronics и STMicroelectronics.
16 июня 2009
Германиевая электроника для 16-нм микросхем
Японские инженеры компании Toshiba Corporation добились уникального достижения в деле изготовления интегральных микросхем нового поколения. Им удалось разработать технологию формирования затворов и промежуточного слоя с высокой подвижностью носителей заряда, что позволит в будущем создавать полевые транзисторы MOSFET с уникальными свойствами.
11 июня 2009
Созданы прочные пленки на основе наночастиц
Специалисты из Университета Вандербилта (США) разработали технологию формирования многослойных и достаточно прочных пленок на основе наночастиц без использования связывающих веществ. Эти пленки, по словам исследователей, могут оказаться более дешевым и эффективным решением для отделения затвора от канала полевых транзисторов, чем, например, оксид гафния.
20 апреля 2009
Разработана технология уменьшения размеров компонентов наноэлектронных схем
Группа ученых из Колорадского университета в Боулдере (США) представила новую методику сокращения линейных размеров элементов электронных схем, основанную на одновременном использовании излучения с различными длинами волн. Эта новая технология способна продлить жизнь закону Мура.
02 апреля 2009
Графен ляжет в основу памяти нового поколения
Графен, тончайшие листы атомов углерода, объединенных в гексагональную двумерную кристаллическую решетку, уже используются учеными в проектах по созданию высокоскоростных интегральных микросхем, прозрачных электродов для гибких дисплеев, и пр. А вот последние работы исследователей Национального Университета Сингапура показывают, что графен можно использовать и в качестве основы для высокоскоростных устройств хранения информации.
Солнечные панели будут печатать на стенах и крышах 
Создан пластиковый полупроводник
Термоядерные технологии как будущее электронных чипов
Графен заменит медь в интегральных микросхемах
Вибрирующие нанотрубки - будущее электронных датчиков
Ученые открыли отталкивающую силу света
Global Foundries выжмет максимум из 300-мм кремниевых пластин
Мемристор станет основой для искусственного интеллекта
«Молекулярный» свет лампочки будущего
Германиевая электроника для 16-нм микросхем